「世界初」900V GaN双方向スイッチ　AIデータセンターSSTへ

双方向の電圧ブロッキングと電流導通機能を単一のデバイスに統合

　インフィニオン テクノロジーズは2026年10月、900V窒化ガリウム（GaN）モノリシック双方向スイッチ（BDS）を、Enphase Energy（エンフェイズエナジー）製のソリッドステートトランスフォーマー（SST）電源モジュール向けに供給すると発表した。

出所：インフィニオン テクノロジーズ

　インフィニオンとエンフェイズはこれまで、「Enphase IQ9マイクロインバーター向け650V GaN BDS技術」で協業している。今回は、高周波スイッチング特性を維持しつつ、動作電圧範囲を900Vまで高めた「世界初」（同社）となる900V GaN BDSを、AIデータセンターなどで用いられるIQ SST製品向けに提供することとなった。

　新たに開発したモノリシックGaN BDSは双方向の電圧ブロッキングと電流導通機能を単一のデバイスに統合した。これにより、部品点数の少ないパワーステージを構成できる。しかも、電力密度の向上と磁気部品の小型化を可能にする高周波動作に対応する。さらに、高い阻止電圧によって、より少ない電力変換段数で高いシステム電圧に対応できるという。

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